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Hakuto离子蚀刻机7.5IBE 用于刻蚀硅微机械陀螺芯片

   日期:2021-04-23 11:34     浏览:0    
  v 某芯片实验室为了解决芯片湿法刻蚀难以解决的横向腐蚀问题, 引进伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于刻蚀硅微机械陀螺芯片.

Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:

portant;">

真空腔

portant;">

1 set, 主体不锈钢,水冷

portant;">

片尺寸

portant;">

1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却,

portant;">

离子源

portant;">

ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75

portant;">

离子束入射角

portant;">

0 Degree± 90 Degree

portant;">

极限真空

portant;">

1x10-4 Pa

portant;">

刻蚀性能

portant;">

一致性: ≤±5% across 4”

 

该实验室采用的 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75

伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数:

portant;">

 离子源型号

portant;">

离子源 KDC 75

portant;">

Discharge

portant;">

DC 热离子

portant;">

离子束流

portant;">

>250 mA

portant;">

离子动能

portant;">

100-1200 V

portant;">

栅极直径

portant;">

7.5 cm Φ

portant;">

离子束

portant;">

聚焦平行散射

portant;">

流量

portant;">

2-15 sccm

portant;">

通气

portant;">

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

portant;">

典型压力

portant;">

< 0.5m Torr

portant;">

长度

portant;">

20.1 cm

portant;">

直径

portant;">

14 cm

portant;">

中和器

portant;">

灯丝

可选一个阴极灯丝可调角度的支架

 

试验结果:

Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 刻蚀出的芯片表面平整、光滑,解决了湿法刻蚀难以解决的横向腐蚀问题,并提高了刻蚀速率。

 

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小 
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw

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