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离子蚀刻机10IBE用于提升碳化硅微光学元件的品质

   日期:2021-04-23 11:35     浏览:3    
  某光学元件制造商为了优化碳化硅微光学元件降低碳化硅微光学元件表面粗糙度采用 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE对其进行优化.

Hakuto 离子蚀刻机 10IBE技术参数:

portant;">

板尺寸

portant;">

< Ф8 X 1wfr

portant;">

样品台

portant;">

直接冷却(水冷)0-90 度旋转

portant;">

离子源

portant;">

16cm
考夫曼离子源

portant;">

均匀性

portant;">

±5% for 4”Ф

portant;">

硅片刻蚀率

portant;">

20 nm/min

portant;">

温度

portant;">

<100

 

该制造商采用的 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160

伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数:

portant;">

 离子源型号

portant;">

离子源 KDC 160

portant;">

Discharge

portant;">

DC 热离子

portant;">

离子束流

portant;">

>650 mA

portant;">

离子动能

portant;">

100-1200 V

portant;">

栅极直径

portant;">

16 cm Φ

portant;">

离子束

portant;">

聚焦平行散射

portant;">

流量

portant;">

2-30 sccm

portant;">

通气

portant;">

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

portant;">

典型压力

portant;">

< 0.5m Torr

portant;">

长度

portant;">

25.2 cm

portant;">

直径

portant;">

23.2 cm

portant;">

中和器

portant;">

灯丝

可选可调角度的支架

 

Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 配的是 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持刻蚀室的真空度.

其产品优势:

1.结构紧凑但功能强大的涡轮泵,用于 N2 时的最高抽速可达 685 l/s

2.最真空性能,最低功耗

3.集成的带 Profibus 的驱动电子装置 TC 400

4.可在任何方向安装

5.带有集成型水冷系统以保证最大气体流量

6.通过 M12 插接头的 Profibus 连接

7.广泛的配件扩展使用范围

 

运行结果:

1. 经过 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 碳化硅微纳结构进行刻蚀, 以调控结构的线宽和深度, 使结构表面粗糙度由约106nm降低到11.8nm.

2. 碳化硅菲涅尔波带片展现出良好的聚焦和成像效果.

 

 

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw

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